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NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利，具有SLC速度的QLC閃存

日期：2021-08-10 11:40:13    　　點(diǎn)擊：

在2020虛擬閃存峰會(huì)期間，NEO半導(dǎo)體首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人Andy Hsu展示了一種新穎的NAND技術(shù)。這是被稱為X-NAND的閃存技術(shù)，其特點(diǎn)是將SLC的速度與QLC的高密度與低價(jià)結(jié)合在一起。據(jù)Blocks And Files報(bào)道，NEO半導(dǎo)體已獲得了NAND技術(shù)的專利。這家位于圣何塞的公司成立于2012年，目前擁有20多項(xiàng)與內(nèi)存相關(guān)的專利，而且還在不斷研發(fā)中。

自NAND閃存誕生以來，一直沒有停下發(fā)展的腳步，基本上都是追求更高的存儲(chǔ)密度。從最初的SLC一直發(fā)展到現(xiàn)在的QLC，存儲(chǔ)密度有了大幅度提升，但隨著單元中位數(shù)增加，讀寫速度相對更低了，而且耐用性也變差了。

X-NAND技術(shù)旨在擁有單級(jí)單元(SLC)NAND閃存的速度，同時(shí)提供四級(jí)單元(QLC)NAND閃存的容量，并盡可能以最小的尺寸實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。據(jù)稱，X-NAND的隨機(jī)讀寫與寫入比QLC閃存快三倍，連續(xù)讀取快27倍，連續(xù)寫入快14倍。此外芯片的尺寸更小，Die Size只有同樣16 planes的NAND閃存的37%，還可以根據(jù)實(shí)際需要縮減芯片的尺寸，功耗也更低。

X-NAND技術(shù)可以與現(xiàn)有的任何NAND閃存配合使用，不需要進(jìn)行結(jié)構(gòu)更改，沒有額外的制造成本，從而提高了靈活性并簡化了轉(zhuǎn)換速度。未來NEO半導(dǎo)體很可能會(huì)將X-NAND技術(shù)授權(quán)給NAND閃存芯片的制造商，包括Kioxia(鎧俠)、美光、三星和SK海力士等。

 

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本文來源：http://jrao.cn/2021/hyxw_0810/5367.html

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